Отображение 21 - 40 результаты of 502 для поиска '"эпитаксия"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 21
    Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  2. 22
    Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  3. 23
    Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  4. 24
    Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Статья в сборнике
  5. 25
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Статья в сборнике
  6. 26
    Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Статья в сборнике
  7. 27
    Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 28
    О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  9. 29
    Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  10. 30
    Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
    Предметы: “...эпитаксия полупроводников....”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 31
    Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers
    по Hervieu, Yurij Yurevich
    Опубликовано в: Journal of crystal growth
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  12. 32
    Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 33
    Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  14. 34
    Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  15. 35
    Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  16. 36
    Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots
    Опубликовано в: Nanoscale research letters
    Предметы: “...молекулярно-пучковая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  17. 37
    Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges
    Опубликовано в: Journal of Physics: Conference Series
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  18. 38
    The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  19. 39
    Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  20. 40
    Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
    Предметы: “...молекулярно-пучковая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
Инструменты поиска: RSS-поток