Отображение 81 - 100 результаты of 502 для поиска '"эпитаксия"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 81
    Морфология, структура и оптические свойства пленок SNO(x)
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  2. 82
    Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  3. 83
    Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  4. 84
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  5. 85
    Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  6. 86
    Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  7. 87
    Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 88
    Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  9. 89
    Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  10. 90
    Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 91
    Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  12. 92
    Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 93
    Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  14. 94
    Morphology, structure, and optical properties of SnO (x) films
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  15. 95
    Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates
    Опубликовано в: Infrared physics and technology
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  16. 96
    Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  17. 97
    Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  18. 98
    Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film
    по Novikov, Vadim A.
    Опубликовано в: Semiconductors
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  19. 99
    Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates
    Опубликовано в: Infrared physics and technology
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  20. 100
    Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток