Отображение 1 - 8 результаты of 8 для поиска '"Opto-electronics review"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  2. 2
    Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  3. 3
    Background donor concentration in HgCdTe
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  4. 4
    Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  5. 5
    Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  6. 6
    Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  7. 7
    Background donor concentration in HgCdTe
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 8
    Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Полный текст
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток