Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth

Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth

Two-dimensional materials have become one of the central research topics of scientists around the world after the production of graphene - a monatomic layer of carbon. Currently, two-dimensional crystals are among the most promising materials for next-generation nanoelectronics and photonics. The ex...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Russian physics journal Vol. 64, № 9. P. 1583-1591
Другие авторы:	Lozovoy, Kirill A., Dirko, Vladimir V., Vinarskiy, Vladimir P, Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V., Akimenko, Nataliya Yu
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	кремний германий олово cвинец силицен германен станен плюмбен эпитаксия молекулярные пучки статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004041

Похожие документы

Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза

Single-element 2D materials beyond graphene: Methods of epitaxial synthesis

Single-element 2D materials beyond graphene: methods of epitaxial synthesis

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
по: Kokhanenko, Andrey P.

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
по: Lozovoy, Kirill A.

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/
по: Лапидус, И. И. Илья Иосифович, et al.
Публикация: (1978)

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
по: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
по: Lozovoy, Kirill A.

Применение ионообменных смол при химико-спектральном методе анализа высокочистых материалов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Отмахова, Зинаида Ильинична
Публикация: (1967)

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
по: Lozovoy, Kirill A.

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Руководство по неорганическому синтезу В 6 т.
Публикация: (1985)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич