Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Расчеты состава адсорбционных...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте

Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте

Bibliographic Details
Published in:Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 54-55
Main Author: Полтавец, И. Ю.
Other Authors: Субач, Сергей Владимирович
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
эпитаксиальные пленки
адсорбционные слои
арсенид галия
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ
    by: Полтавец, И. Ю.
  • Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr
  • Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
    by: Панин, Алексей Викторович
  • Адмитанс структур арсенид индия-диэлектрик-окисел индия
  • Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...