Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте
| Published in: | Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 54-55 |
|---|---|
| Main Author: | Полтавец, И. Ю. |
| Other Authors: | Субач, Сергей Владимирович |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: |
Similar Items
-
Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ
by: Полтавец, И. Ю. - Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr
-
Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
by: Панин, Алексей Викторович - Адмитанс структур арсенид индия-диэлектрик-окисел индия
- Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения
