Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте

Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 54-55
Главный автор:	Полтавец, И. Ю.
Другие авторы:	Субач, Сергей Владимирович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	эпитаксиальные пленки адсорбционные слои арсенид галия

Похожие документы

Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ
по: Полтавец, И. Ю.

Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr

Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
по: Панин, Алексей Викторович

Адмитанс структур арсенид индия-диэлектрик-окисел индия

Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения

Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs

Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов
по: Миттова, Ирина Яковлевна

Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD
по: Вертопрахов, Владимир Никифорович

Исследование спектров оптического поглощения эпитаксиальных слоев твердого раствора In0.53 Ga0.47As
по: Гермогенов, Валерий Петрович

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
по: Гущин, Сергей Михайлович

Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках

Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пороховниченко, Лидия Петровна
Публикация: (1978)

Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation

Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation

Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попова, А. В

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07
по: Ивонин, Иван Варфоломеевич
Публикация: (1998)

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Торхов, Николай Анатольевич
Публикация: (2007)

Кинетика и механизм захвата примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Торопов, Сергей Евгеньевич
Публикация: (1988)

Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Латеральная эпитаксия арсенида галлия в системах ГФЭ
по: Ивонин, Иван Варфоломеевич

Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных слоев InAs, выращенных методом ГФЭ
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
по: Средин, Виктор Геннадиевич

Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
по: Полтавец, И. Ю.

Влияние дополнительного слоя CdTe на характеристики МДП КРТ с варизонными слоями
по: Суханов, Иван Вячеславович

Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv
по: Ивонин, Иван Варфоломеевич

Закономерности формирования эпитаксиального слоя феррошпинелей

Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs

Технология получения и электрические свойства соединений А3В5 материалы всесоюзной конференции
Публикация: (1981)

Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga2O3-структур

Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

Детекторы рентгеновского излучения и y-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок
по: Александров, Леонид Наумович
Публикация: (1978)

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Вилисова, Мария Дмитриевна
Публикация: (1972)

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник статей]
Публикация: (1977)

Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Окунев, В. Д.
Публикация: (1972)

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попов, А. В.