| Итог: | Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки.
|
|---|
