Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentration of N_d=9.5·1014 cm-3. The thickness of the oxide film was 120 nm. Measurements at a frequency o...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Semiconductors Vol. 56, № 9. P. 707-711
Другие авторы:	Kalygina, Vera M., Kiselyeva, O. S., Kushnarev, Bogdan O., Oleinik, Vladimir L., Petrova, Julianna S., Tsymbalov, Alexander V.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	МДП-структуры вольт-фарадные характеристики пленки оксида галлия фотоэлектрические характеристики фотодиоды статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016318