Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

In this article, the performance and design considerations of the planar structure of germanium on silicon avalanche photodiodes are presented. The dependences of the breakdown voltage, gain, andwidth, responsivity, and quantum efficiency on the reverse bias voltage for different doping concentratio...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Inorganics Vol. 11, № 7. P. 303 (1-15)
Другие авторы:	Deeb, Hazem, Khomyakova, Kristina I., Kokhanenko, Andrey P., Douhan, Rahaf M. H., Lozovoy, Kirill A.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	оптоэлектроника лавинные фотодиоды лавинное умножение фотодетекторы оптоволоконные телекоммуникации гетеропереходы статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001067502 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Фотодиоды учебное пособие
Публикация: (2008)

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Основы волоконно-оптической связи пер. с англ.
Публикация: (1980)

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

Лавины и борьба с ними на территории Киргизии
по: Максимов, Николай Васильевич
Публикация: (1965)

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
по: Prudaev, Ilya A.

The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Приемники и приемные модули
по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
Публикация: (2001)

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Handbook of optoelectronics
Публикация: (2006)

Основы приема оптических сигналов учебное пособие
по: Петров, Алексей Сергеевич 1938-1996
Публикация: (1982)

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 - "Оптотехника", 200700 - "Фотоника и оптоинформатика" и 200500 - "Лазерная техника и лазерные технологии"]
Публикация: (2013)

Оптические системы связи
по: Гауэр, Дж
Публикация: (1989)

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика]
по: Филачев, Анатолий Михайлович
Публикация: (2011)

Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures

Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review)

Application of laser module with driver based on avalanche S-diode for light-emitting diode structure characterization
по: Kopyev, Viktor V.

Методика оценки лавинного питания для горных ледников на основе эмпирического Α-Β моделирования дальности выброса лавин
по: Кашдан, Адам Израилевич

Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche s-diodes based on GaAs

Dead time duration and active reset influence on the afterpulse probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes

Техника оптической связи фотоприемники
Публикация: (1988)

Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Диб, Хазем
Публикация: (2024)

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Efficient matrix multiplication for cryptography with a companion matrix over F2
по: Pal, S.

Физика полупроводниковых приборов
по: Лебедев, Александр Иванович
Публикация: (2008)

Волоконная оптика Приборы и системы
по: Чео, Питер К.
Публикация: (1988)

Инфракрасные детекторы
по: Рогальский, Антоний
Публикация: (2003)

Электрические свойства изотипных гетеропереходов, полученных методом лазерно-импульсного осаждения

Полупроводниковая электроника учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»]
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (2015)

Dark current and detectivity of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
по: Douhan, Rahaf M. H.

Полупроводниковые гетеропереходы
по: Шарма, Б. Л.
Публикация: (1979)

Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"]
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (2000)

Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф Мохаммедовна

Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2
по: Подзывалов, Сергей Николаевич

Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Захаров, Иван Сафонович 1944-2010
Публикация: (1970)