Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного заря...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 2. С. 40-45
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Юрий Георгиевич, Васильев, Владимир Васильевич физик, Якушев, Максим Витальевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130411
LEADER 03042nab a2200409 c 4500
001 koha001130411
005 20241127161128.0
007 cr |
008 240220|2010 ru s c rus d
035 |a koha001130411 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика  |c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 17 назв. 
520 3 |a Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов для систем HgCdTe–CdTe, HgCdTe–CdTe–SiO2–Si3N4, HgCdTe–CdTe–ZnTe. Показано, что сформированный in situ CdTe образует достаточно качественную границу раздела, а использование дополнительных слоев SiO2–Si3N4 и ZnTe предоставляет возможности управления электрической прочностью и зарядами в диэлектрике. 
653 |a теллурид кадмия ртути 
653 |a диэлектрики 
653 |a полупроводники 
653 |a варизонные слои 
653 |a вольт-фарадные характеристики 
653 |a МДП-структуры 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Несмелов, Сергей Николаевич 
700 1 |a Дзядух, Станислав Михайлович 
700 1 |a Варавин, Василий Семенович 
700 1 |a Дворецкий, Сергей Алексеевич 
700 1 |a Михайлов, Николай Николаевич  |c физик 
700 1 |a Сидоров, Юрий Георгиевич 
700 1 |a Васильев, Владимир Васильевич  |c физик 
700 1 |a Якушев, Максим Витальевич 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2010  |g Т. 53, № 2. С. 40-45  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130411 
908 |a статья 
999 |c 1130411  |d 1130411