Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Ge/Si avalanche photodiodes da...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 302
Другие авторы: Khomyakova, Kristina I., Douhan, Rahaf M. H., Deeb, Hazem, Kokhanenko, Andrey P., Lozovoy, Kirill A.
Формат: Статья в сборнике
Язык:English
Предметы:
лавинные фотодиоды
темновой ток
туннельный ток
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132604
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись
Описание
Библиография:Библиогр.: 6 назв.

Похожие документы

  • Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers
  • Theoretical and experimental comparison of multilayer Ge/Si photodetectors with quantum dots
  • Diffusion limitation of dark current in the nBn structures based on the MBE HgCdTe
  • Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors
  • Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...