Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 301
Другие авторы:	Khomyakova, Kristina I., Douhan, Rahaf M. H., Deeb, Hazem, Kokhanenko, Andrey P., Lozovoy, Kirill A.
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	English
Предметы:	лавинные фотодиоды темновой ток туннельный ток статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132604

Похожие документы

Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

Theoretical and experimental comparison of multilayer Ge/Si photodetectors with quantum dots

Diffusion limitation of dark current in the nBn structures based on the MBE HgCdTe

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Влияние многоуровневой примеси на туннельный и баллистический ток в графеновой наноленте
по: Конобеева, Наталия Николаевна

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
по: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
Публикация: (2011)

Туннельные характеристики контакта металл – нефермиевская жидкость и ADS/CFT-соответствие
по: Конобеева, Наталия Николаевна

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Современные проблемы волоконно-оптических линий связи: В 4 т./
по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
Публикация: (2001)

Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Приемники и приемные модули
по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
Публикация: (2001)

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Туннельный транспорт в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AI0 3Gaol7N(0001). самосогласованный расчет
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Диб, Хазем
Публикация: (2024)

Исследование гомодинного акустооптического спектроанализатора и оптимизация его параметров: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 2.2.13/
по: Аронов, Л. А. Леонид Андреевич
Публикация: (2023)

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика]
по: Филачев, Анатолий Михайлович
Публикация: (2011)

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures

Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
по: Prudaev, Ilya A.

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe

Magnetically induced ring currents in metallocenothiaporphyrins

Application of laser module with driver based on avalanche S-diode for light-emitting diode structure characterization
по: Kopyev, Viktor V.

Integration of global ring currents using the Ampère–Maxwell law

Фотодиоды учебное пособие
Публикация: (2008)

Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche s-diodes based on GaAs

Density-functional study of persistent currents in quantum rings
по: Vasilchenko, Alexander A.

Основы волоконно-оптической связи пер. с англ.
Публикация: (1980)

Dead time duration and active reset influence on the afterpulse probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes

Effect of electric-current pulses on grain-structure evolution in cryogenically rolled copper

Линейные электрические цепи: учебное пособие/
по: Атабеков, Г. И. Григорий Иосифович
Публикация: (1957)