Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
| Опубликовано в: : | Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 273-275 |
|---|---|
| Главный автор: | Диб, Хазем |
| Другие авторы: | Хомякова, Кристина Игоревна, Коханенко, Андрей Павлович |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132664 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем -
Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
по: Диб, Хазем - Ge/Si avalanche photodiodes dark current
-
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Диб, Хазем
Публикация: (2024) -
Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
по: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
Публикация: (2011)
