Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образов...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 26-33
Other Authors:	Путято, Михаил Альбертович, Семягин, Борис Рэмович, Емельянов, Евгений Александрович, Паханов, Николай Андреевич, Преображенский, Валерий Владимирович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	атомно-слоевая эпитаксия гетеропереходы солнечная энергия преобразователи солнечной энергии молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133294 Перейти в каталог НБ ТГУ