| Summary: | Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200–350 °С). Был найден режим выращивания плёнок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 106 см–2, что соответствует лучшим мировым достижениям. В этом режиме были выращены структуры GaAs/Si и Al0,2Ga0,8As/Si для преобразователей солнечной энергии, сформированы приборы и измерены их характеристики. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется p–n-переход. Это позволяет создавать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений AIIIBV на активной подложке Si в едином ростовом цикле.
|
|---|
