|
|
|
|
| LEADER |
03552nab a2200349 c 4500 |
| 001 |
koha001133294 |
| 005 |
20240418102033.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240412|2010 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001133294
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
|c М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов [и др.]
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 21 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200–350 °С). Был найден режим выращивания плёнок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 106 см–2, что соответствует лучшим мировым достижениям. В этом режиме были выращены структуры GaAs/Si и Al0,2Ga0,8As/Si для преобразователей солнечной энергии, сформированы приборы и измерены их характеристики. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется p–n-переход. Это позволяет создавать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений AIIIBV на активной подложке Si в едином ростовом цикле.
|
| 653 |
|
|
|a атомно-слоевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a гетеропереходы
|
| 653 |
|
|
|a солнечная энергия
|
| 653 |
|
|
|a преобразователи солнечной энергии
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Путято, Михаил Альбертович
|
| 700 |
1 |
|
|a Семягин, Борис Рэмович
|
| 700 |
1 |
|
|a Емельянов, Евгений Александрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Паханов, Николай Андреевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Преображенский, Валерий Владимирович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2010
|g Т. 53, № 9. С. 26-33
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133294
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1133294
|d 1133294
|
