Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образов...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 26-33 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133294 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03806nab a2200373 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001133294 | ||
| 005 | 20240418102033.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240412|2010 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001133294 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке |c М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов [и др.] |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 21 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 °С). Был найден режим выращивания плёнок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 106 см-2, что соответствует лучшим мировым достижениям. В этом режиме были выращены структуры GaAs/Si и Al0,2Ga0,8As/Si для преобразователей солнечной энергии, сформированы приборы и измерены их характеристики. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется p-n-переход. Это позволяет создавать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений AIIIBV на активной подложке Si в едином ростовом цикле. | |
| 653 | |a атомно-слоевая эпитаксия | ||
| 653 | |a гетеропереходы | ||
| 653 | |a солнечная энергия | ||
| 653 | |a преобразователи солнечной энергии | ||
| 653 | |a молекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 957703 | |
| 700 | 1 | |a Путято, Михаил Альбертович |9 566847 | |
| 700 | 1 | |a Семягин, Борис Рэмович |9 566850 | |
| 700 | 1 | |a Емельянов, Евгений Александрович |9 400935 | |
| 700 | 1 | |a Паханов, Николай Андреевич |9 478478 | |
| 700 | 1 | |a Преображенский, Валерий Владимирович |9 86737 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2010 |g Т. 53, № 9. С. 26-33 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133294 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1133294 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1133294 |d 1133294 | ||
| 039 | |b 100 | ||