Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике
В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведен...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 59-64 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133640 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур с упорядоченным ансамблем нанокластеров Ge. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 27 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |