Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Электрические свойства полупр...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 2. С. 108-109
Главный автор: Брус, Виктор Васильевич
Другие авторы: Ковалюк, Захар Дмитриевич, Марьянчук, Павел Дмитриевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
диоксид титана
фосфид галлия
гетероструктуры
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

  • Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
    по: Bakulin, Alexander V.
  • Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP
  • Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
    по: Лукаш, Виталий Сергеевич
  • Полупроводниковые материалы в современной электронике/
    по: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
    Публикация: (1986)
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...