Люминесценция деградированных структур Si-SiO2
Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250–800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si–SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено, ч...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 56-61 |
|---|---|
| Главный автор: | Барабан, Александр Петрович |
| Другие авторы: | Дмитриев, Валентин Александрович, Гаджала, Андрей Александрович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140623 |
Похожие документы
-
Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
по: Зайцев, Николай Алексеевич
Публикация: (1993) -
Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ./
по: Кристиан, С. М., et al.
Публикация: (1971) -
Синтез и физико-химические свойства фотокаталитических композитов TiO2-Ag-SiO2 сферической слоистой структуры диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.01
по: Бузаев, Александр Александрович
Публикация: (2022) -
Расчет спектров поглощения алмаза с SiV-центрами в температурном диапазоне от 12 до 470 К
по: Лыга, Ольга Игоревна - Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface
