Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия

Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия

Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено влияние температуры отжига на характеристики структур. Обнаружено, что при длительном хранении в ко...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 6. С. 3-6
Другие авторы:	Калыгина, Вера Михайловна, Петрова, Юлианна Сергеевна, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	арсенид галлия оксид галлия МОП-структуры вольт-фарадные характеристики вольт-сименсные характеристики статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141259

Похожие документы

Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур

Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме

Исследование электрических характеристик структур TiO2-Si

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
по: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment
по: Gurtovoi, V. L.

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As
по: Хлудкова, Людмила Станиславовна

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
по: Олейник, Владимир Леонидович

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Взаимодействие медленных электронов с поверхностью арсенида галлия при различных воздействиях на нее
по: Асалханов, Юлий Иннокентьевич

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности
по: Асалханов, Юлий Иннокентьевич

Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия
по: Карлова, Гелия Федоровна

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
по: Прудаев, Илья Анатольевич

Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
по: Маковский, Артем Александрович

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe