Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспери...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 11. С. 121-126 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141301 |
| Итог: | Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи Ev + 2.5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 51 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |