Дисперсия числа носителей заряда в приближении Лэкса при корпускулярно-полевых воздействиях на полупроводник
В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 86-92 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141671 |