| Summary: | В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника вследствие высокочастотного вида емкостных характеристик структур с варизонным слоем относительно времени перезарядки поверхностных состояний. Концентрация электронов в приповерхностном слое варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe при x = 0.22–0.23 в рабочем слое, найденная по значению емкости в минимуме, значительно превышает интегральную концентрацию электронов, определенную методом Холла. При увеличении состава в рабочем слое до x = 0.30–0.40 различие значений концентраций электронов существенно уменьшается при близких составах вблизи поверхности. Полученные результаты объясняются возникновением дополнительных собственных дефектов донорного типа в приповерхностном варизонном слое, причем этот эффект наиболее ярко проявляется при больших градиентах состава в варизонном слое. Результаты обработки экспериментальных ВФХ качественно согласуются с результатами исследования методом Холла распределения по толщине пленки концентрации электронов.
|
|---|
