Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 135-140 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141916 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c(8×4) и (5×1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 24 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |