Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 135-140 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141916 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03337nab a2200373 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001141916 | ||
| 005 | 20241128121848.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240628|2017 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001141916 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области |c В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. П. Коханенко [и др.] |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 24 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c(8×4) и (5×1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям. | |
| 653 | |a олово | ||
| 653 | |a эпитаксиальные пленки | ||
| 653 | |a экспериментальные исследования | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 967179 | |
| 700 | 1 | |a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич |9 395169 | |
| 700 | 1 | |a Никифоров, Александр Иванович |9 395171 | |
| 700 | 1 | |a Коханенко, Андрей Павлович |9 65555 | |
| 700 | 1 | |a Туктамышев, Артур Раисович |9 552781 | |
| 700 | 1 | |a Машанов, Владимир Иванович |9 502072 | |
| 700 | 1 | |a Лошкарев, Иван Дмитриевич |9 400932 | |
| 700 | 1 | |a Новиков, Вадим Александрович |9 83069 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2017 |g Т. 60, № 2. С. 135-140 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141916 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1141916 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1141916 |d 1141916 | ||
| 039 | |b 100 | ||