Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1-xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

В диапазоне температур 9-200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22-0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 141-150
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры молекулярно-лучевая эпитаксия кадмий-ртуть-теллур экспериментальные исследования статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141917 Перейти в каталог НБ ТГУ