Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • BN, AlN, GaN, InN: уровень зар...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 178-181
Главный автор: Брудный, Валентин Натанович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
зарядовая нейтральность
собственный уровень зарядовой нейтральности,
дефекты
поверхность
границы раздела
легирование химическими примесями
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250

Похожие документы

  • Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
    по: Брудный, Валентин Натанович
  • Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
  • Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
    по: Брудный, Валентин Натанович
  • Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
    по: Брудный, Валентин Натанович
  • Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
    по: Брудный, Валентин Натанович
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...