BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 178-181
Главный автор:	Брудный, Валентин Натанович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	зарядовая нейтральность собственный уровень зарядовой нейтральности, дефекты поверхность границы раздела легирование химическими примесями статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250

Похожие документы

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
по: Брудный, Валентин Натанович

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
по: Брудный, Валентин Натанович

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
по: Брудный, Валентин Натанович

Полупроводниковые приборы с зарядовой связью/
по: Носов Юрий Романович, et al.
Публикация: (1976)

Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb
по: Brudnyi, Valentin N.

Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения
по: Брудный, Валентин Натанович

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N

Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов
по: Брудный, Валентин Натанович

Молекулярная эволюция: теория нейтральности: монография : пер. с англ./
по: Кимура, М. Мотоо
Публикация: (1985)

Приборы с зарядовой связью: Пер. с англ./
по: Бейкер, В. Д., et al.
Публикация: (1982)

Приборы с зарядовой связью: Пер. с англ./
по: Бэрт, Д. Дж, et al.
Публикация: (1981)

Фоточувствительные приборы с зарядовой связью: научное издание/
по: Пресс Феликс Павлович
Публикация: (1991)

Основы физики приборов с зарядовой связью: научное издание/
по: Носов Юрий Романович, et al.
Публикация: (1986)

Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений: Пер. с англ./
Публикация: (1980)

Микросхемотехника БИС на приборах с зарядовой связью: /
по: Кузнецов, Ю. А. Юрий Алексеевич, et al.
Публикация: (1988)

Механизм нелинейной объемно-зарядовой поляризации в ионных диэлектриках
по: Калытка, Валерий Александрович

Оружие и современный искусственный интеллект: два варианта отрицания ценностной нейтральности технологии
по: Ястреб, Наталья Андреевна

Компьютерное моделирование явления зарядовой асимметрии при торможении тяжелых зарядных частиц в веществе
по: Савельев, В. И.

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
по: Ри, Д. Д.

Турбулентность: подходы и модели
по: Фрик, Петр Готлобович
Публикация: (2003)

Исследование влияния добавок Si3N4 и AlN на получение и свойства горячепрессованных материалов на основе BN

Проблемы утилитарного подхода к языковой политике в мультикультурализме
по: Наумов, Филипп Викторович

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Александров, Иван Анатольевич
Публикация: (2015)

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Краткий очерк международного гуманитарного права
по: Нахлик, Станислав Е.
Публикация: (1993)

Модели языковой политики в мультикультурализме
по: Наумов, Филипп Викторович

Термолюминесценция поликристаллического AlN с различным содержанием кислорода
по: Швайцер, А. Н.

Перспективная элементная база РЭС и физика функциональных устройств: сборник задач и методические указания для студентов специальности 210201 - "Проектирование и технология радиоэлектронных средств"/
по: Кузебных, Н. И. Николай Иванович
Публикация: (2007)

Метод функционалов спиново-зарядовой плотности и основное состояние щелочных и 3d-переходных металлов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Безносюк, Сергей Александрович 1953-
Публикация: (1977)

Современные тенденции в концептуализации гендера и их отражение в британской толковой лексикографии
по: Гриценко, Елена Сергеевна

Социально-философский анализ моделей языковой политики в сфере управления языковым многообразием в современном обществе диссертация на соискание ученой степени кандидата философских наук : 09.00.11
по: Наумов, Филипп Викторович
Публикация: (2019)

AlN production in co-flow filtration mode at low pressures

Аксиология научного познания
по: Аванесов, Сергей Сергеевич 1963-

Формирование антибактериальных наноструктурных композитов при окислении водой наночастиц Al/AlN/Zn и Al/AlN/Cu автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 1.4.4
по: Тимофеев, Сергей Сергеевич
Публикация: (2023)

Влияние примесей сурьмы и теллура на электрические свойства селена [диссертация]
по: Козловский, И. Л.
Публикация: (1943)

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Механические характеристики магниевого сплава МЛ12, упрочненного наночастицами AlN
по: Кахидзе, Николай Иверьевич