Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si

Похожие документы

• Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
  по: Ишков, Арман Дмитриевич
• Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
• О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
  по: Эрвье, Юрий Юрьевич
• Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
  по: Nikiforov, Alexander I.
• Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
  по: Лозовой, Кирилл Александрович