Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 329-331
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	nBn-структура теллурид кадмия-ртути молекулярно-лучевая эпитаксия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145509

Похожие документы

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути

Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках

Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов

Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

An experimental study of the dynamic resistance in surface leakage limited nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов

Background donor concentration in HgCdTe

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути

Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 μm spectral range

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне

Background donor concentration in HgCdTe

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Light emission from CdHgTe–based nanostructures