Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Механизмы формирования тока в...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Библиографическая информация
Опубликовано в: :XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 329-331
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
nBn-структура
теллурид кадмия-ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145509
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145509

Похожие документы

  • Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
  • Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
  • Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути
  • Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
  • Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...