Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 52
Главный автор:	Кукенов, Олжас Игоревич
Другие авторы:	Дирко, Владимир Владиславович, Майер, Ксения Александровна
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	кремний гомоэпитаксиальный рост диффузия атомов экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151571 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

О роли адсорбированных димеров кремния в кинетике движения атомных ступеней на поверхности Si(100)
по: Эрвье, Юрий Юрьевич

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
по: Lozovoy, Kirill A.

Диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности топологических изоляторов
по: Рябищенкова, Анастасия Геннадьевна

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Адсорбция и диффузия атомов щелочных металлов на поверхности Bi2Se3: ab initio
по: Рябищенкова, Анастасия Геннадьевна

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Образование двойных ступеней на поверхности кремния (100): роль проницаемости А-ступеней
по: Эрвье, Юрий Юрьевич

Кинетика диффузии атомов в кристаллах: научное издание/
по: Маннинг, Дж
Публикация: (1971)

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

Моноатомные ступени на поверхности кремния
по: Латышев, Александр Васильевич
Публикация: (2006)

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
по: Kokhanenko, Andrey P.

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс/
по: Костишко, Б. М., et al.
Публикация: (2006)

Кинетика диффузии атомов в кристаллах
по: Маннинг, Дж
Публикация: (1971)

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
по: Dyukov, I. Y.

Formation of double steps on Si (100): effect of permeability of the A-steps
по: Hervieu, Yurij Yurevich

Influence of modifying mixtures on Si crystal formation in Al-7%Si alloy

Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый - Si/CdS

Ab initio study of the adsorption, diffusion, and intercalation of alkali metal atoms on the (0001) surface of the topological insulator Bi2Se3

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Визит королю Si [О кремнии]
по: Зубехин, Алексей Павлович
Публикация: (1991)

Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
по: Зайцев, Николай Алексеевич
Публикация: (1993)

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Ab initio расчеты энергий адсорбции атома кремния на крае и в изломах моноатомной ступени на поверхности Si(100)
по: Пидченко, Михаил Борисович

Зернограничная диффузия кремния в никелид титана при внешнем энергетическом воздействии

Interstitial H2 in 29Si
по: Lavrov, E. V.

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

First principles calculation of rovibrational spectra for SiH4 molecule

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
по: Самарин, А. А.

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Release of labile Si from forest and agricultural soils

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
по: Брудный, Валентин Натанович