Gas−sensing properties of In2O3−Ga2O3 alloy films

The effect of the gaseous medium composition on the electrically conductive properties of In2O3−Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 100−550◦C, the In2O3−Ga2O3 films exhibit high sensitivity to H2, NH3 and possess hyphen performance and low...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Technical physics letters Vol. 48, № 7. P. 76-79
Другие авторы: Nikolaev, Vladimir I., Almaev, Aleksei V., Kushnarev, Bogdan O., Pechnikov, Aleksei I., Stepanov, Sergey I., Chikiryaka, Andrei V., Timashov, R. B., Scheglov, Mikhail P., Butenko, Pavel N., Chernikov, Evgeniy V.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157044
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01974nab a2200409 c 4500
001 koha001157044
005 20250512123427.0
007 cr |
008 250507|2022 ru s a eng d
024 7 |a 10.21883/TPL.2022.07.54046.19211  |2 doi 
035 |a koha001157044 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Gas−sensing properties of In2O3−Ga2O3 alloy films  |c V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, B. O. Kushnarev [et al.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 25 назв. 
520 3 |a The effect of the gaseous medium composition on the electrically conductive properties of In2O3−Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 100−550◦C, the In2O3−Ga2O3 films exhibit high sensitivity to H2, NH3 and possess hyphen performance and low base resistance. A qualitative mechanism for the sensitivity of In2O3−Ga2O3 films to gases is proposed. 
653 |a парофазная эпитаксия 
653 |a газовая чувствительность 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Nikolaev, Vladimir I.  |9 802460 
700 1 |a Almaev, Aleksei V.  |9 407941 
700 1 |a Kushnarev, Bogdan O.  |9 802463 
700 1 |a Pechnikov, Aleksei I.  |9 802462 
700 1 |a Stepanov, Sergey I.  |9 802461 
700 1 |a Chikiryaka, Andrei V.  |9 878330 
700 1 |a Timashov, R. B.  |9 877229 
700 1 |a Scheglov, Mikhail P.  |9 811517 
700 1 |a Butenko, Pavel N.  |9 876423 
700 1 |a Chernikov, Evgeniy V.  |9 368195 
773 0 |t Technical physics letters  |d 2022  |g Vol. 48, № 7. P. 76-79  |x 1063-7850 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157044 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1157044 
908 |a статья 
039 |b 100 
999 |c 1157044  |d 1157044