Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 10/3. С. 206-208
Main Author: Voytsekhovskiy, Alexander V.
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors: Gorn, Dmitriy Igorevich
Format: Article
Language:English
Subjects:
МДП-структуры
теллурид кадмия-ртути
квантовые ямы
электрофизические характеристики
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477954
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477954
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items