Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 1. С. 49-54
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Пчеляков, Олег Петрович, Лошкарев, Иван Дмитриевич, Селезнев, Владимир Александрович, Путято, Михаил Альбертович, Семягин, Борис Рэмович, Преображенский, Валерий Владимирович, Zhicuan, Niu, Haiqiao, Ni, Емельянов, Евгений Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-лучевая эпитаксия вицинальные подложки атомно-силовая микроскопия эпитаксия арсенид галлия пленки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000457994 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items