Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 1. С. 49-54
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Пчеляков, Олег Петрович, Лошкарев, Иван Дмитриевич, Селезнев, Владимир Александрович, Путято, Михаил Альбертович, Семягин, Борис Рэмович, Преображенский, Валерий Владимирович, Zhicuan, Niu, Haiqiao, Ni, Емельянов, Евгений Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-лучевая эпитаксия вицинальные подложки атомно-силовая микроскопия эпитаксия арсенид галлия пленки статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000457994

Similar Items

Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B

Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
by: Nishizawa, Jun-ichi

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
by: Пчеляков, Олег Петрович

Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs

Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
by: Шумкин, С. В.

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs
by: Чалдышев, Владимир Викторович

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Компьютерное моделирование эшелонирования вицинальных ступеней при кристаллизации из молекулярного пучка
by: Алексеев, Александр Олегович

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В

Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических полупроводников : 01.04.10
by: Пономарев, Иван Викторович
Published: (2011)

Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
by: Путято, Михаил Альбертович

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Примерная программа учебной дисциплины "Зондовые методы создания структур наноэлектроники"
Published: (2011)

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии

Средневолновые ФПУ форматом 640×512 элементов с шагом 15 мкм на основе слоев HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на кремниевых подложках