Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 3. С. 68-72
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Other Authors: Емельянов, Евгений Александрович, Абрамкин, Демид Суад, Пчеляков, Олег Петрович, Путято, Михаил Альбертович, Семягин, Борис Рэмович, Преображенский, Валерий Владимирович, Василенко, Антон Павлович, Феклин, Дмитрий Федорович, Zhicuan, Niu, Коханенко, Андрей Павлович, Haiqiao, Ni
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477756