Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges

Bibliographic Details
Published in:	СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 709-710
Main Author:	Kokhanenko, Andrey P.
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Lozovoy, Kirill A., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	германий-кремний молекулярно-лучевая эпитаксия самоорганизация квантовых точек квантовые точки статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520314 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
by: Lozovoy, Kirill A.

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Novel InGaSb/AlP quantum dots for non-volatile memories
by: Abramkin, Demid S.

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
by: Lozovoy, Kirill A.

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
by: Lozovoy, Kirill A.

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Parameters comparison between quantum dot infrared detectors of Ge/Si and HgCdTe detectors
by: Douhan, Rahaf M. H.

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович