Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots

The experimental results on synthesis of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots in the i-region and their investigation by the method of admittance spectroscopy are presented. The activation energies of the emission process from localized states are calculated for two types of structures. Curre...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Journal of Physics: Conference Series Vol. 741. P. 012015 (1-5)
Другие авторы: Pishchagin, Anton A., Kokhanenko, Andrey P., Serokhvostov, V. Yu, Dzyadukh, Stanislav M., Nikiforov, Alexander I., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622061
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01877nab a2200361 c 4500
001 vtls000622061
003 RU-ToGU
005 20230319212142.0
007 cr |
008 180301|2016 enk s a eng d
024 7 |a 10.1088/1742-6596/741/1/012015  |2 doi 
035 |a to000622061 
039 9 |a 201803020959  |c 201803011440  |d VLOAD  |y 201803011431  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots  |c A. A. Pishchagin, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.] 
504 |a Библиогр.: 7 назв. 
520 3 |a The experimental results on synthesis of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots in the i-region and their investigation by the method of admittance spectroscopy are presented. The activation energies of the emission process from localized states are calculated for two types of structures. Current-voltage characteristics without illumination and under illumination are measured. 
653 |a квантовые точки 
653 |a адмиттанс 
653 |a спектроскопия 
655 4 |a статьи в журналах  |9 879358 
700 1 |a Pishchagin, Anton A.  |9 318582 
700 1 |a Kokhanenko, Andrey P.  |9 91707 
700 1 |a Serokhvostov, V. Yu.  |9 478825 
700 1 |a Dzyadukh, Stanislav M.  |9 95711 
700 1 |a Nikiforov, Alexander I.  |9 95710 
700 1 |a Voytsekhovskiy, Alexander V.  |9 91706 
773 0 |t Journal of Physics: Conference Series  |d 2016  |g Vol. 741. P. 012015 (1-5)  |x 1742-6588 
852 4 |a RU-ToGU 
856 7 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622061 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431460 
908 |a статья 
999 |c 431460  |d 431460