Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Bibliographic Details
Published in:	Opto-electronics review Vol. 21, № 4. P. 390-394
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors:	Izhnin, A. I., Mynbaev, Karim D., Bazhenov, N. L., Shilyaev, A. V., Mikhailov, Nikolay N., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Fitsych, Olena I., Voytsekhovskiy, Alexander V., Izhnin, Igor I.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	наноструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия фотолюминесценция теллурид кадмия-ртути статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000463783 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Light emission from CdHgTe-based nanostructures

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Background donor concentration in HgCdTe

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Радиационные эффекты в HgCdTe

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing