Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Published in: | Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.) С. 90-91 |
---|---|
Other Authors: | Семягин, Борис Рэмович, Преображенский, Валерий Владимирович, Путято, Михаил Альбертович, Вилисова, Мария Дмитриевна, Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008, Торопов, Сергей Евгеньевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
by: Цаплин, В. Б. - Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
- Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
- Электрофизические и детекторные свойства арсенида галлия, выращенного из раствора-расплава
-
Применение моторных топлив при низких температурах
by: Энглин, Борис Абрамович
Published: (1968)