Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Experimental studies of the admittance of MIS structures based on pentacene with a two-layer insulator SiO2-Al2O3 and back contacts made of various materials (Au, Al, In, and Ag) have been carried out in a wide range of frequencies, temperatures, and biases. The concentration of holes in the organic...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Russian physics journal Vol. 64, № 7. P. 1281-1288
Другие авторы:	Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Kopylova, Tatyana N., Degtyarenko, Konstantin M.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	органические полупроводники пентацен МДП-структуры адмиттанс импеданс гистерезис объемные ловушки диоксид кремния оксид алюминия статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893722 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K

Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Admittance of organic LED structures with an emission YAK-203 layer

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Synthesis and photocatalytic properties of SiO2Cd2SiO4@CdS nanocomposite powders
по: Biryukov, Alexander A.

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors

Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях

Синтез и исследование пористой структуры SiO2/Al2O3

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Кинетика формирования прочных полых сферических композитов MoO3/TiO2-SiO2

Фотостойкость порошка ZnO, модифицированного наночастицами SiO2