Optical pump-terahertz probe study of HR GaAs:Cr and SI GaAs:El2 structures with long charge carrier lifetimes
The time dynamics of nonequilibrium charge carrier relaxation processes in SI GaAs:EL2 (semi-insulating gallium arsenide compensated with EL2 centers) and HR GaAs:Cr (high-resistive gallium arsenide compensated with chromium) were studied by the optical pump-terahertz probe technique. Charge carrier...
Published in: | Photonics Vol. 8, № 12. P. 575 (1-11) |
---|---|
Other Authors: | Kolesnikova, Irina I., Kobtsev, Daniil A., Redkin, Ruslan A., Voevodin, Vladimir I., Tyazhev, Anton V., Tolbanov, Oleg P., Sarkisov, Yuri S., Sarkisov, Sergey Yu, Atuchin, Victor V. |
Format: | Article |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901386 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Electrical relaxation and transport properties of ZnGeP2 and 4H-SiC crystals measured with terahertz spectroscopy
-
Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
by: Романов, Иван Сергеевич -
Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Published: (1969) - Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
-
Физические основы работы полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений учебное пособие
Published: (2003)