Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers

We report on growth and electrical properties of α-Ga2O3 films prepared by halide vapor phase epitaxy (HVPE) at 500 °C on α-Cr2O3 buffers predeposited on sapphire by magnetron sputtering. The α-Cr2O3 buffers showed a wide microcathodoluminescence (MCL) peak near 350 nm corresponding to the α-Cr2O3 b...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Journal of applied physics Vol. 131, № 21. P. 215701-1-215701-8
Другие авторы:	Polyakov, Alexander, Nikolaev, Vladimir I., Stepanov, Sergey I., Almaev, Aleksei V., Pechnikov, Aleksei I., Yakimov, Eugene, Kushnarev, Bogdan O., Shchemerov, Ivan, Scheglov, Mikhail P., Chernykh, Alexey, Vasilev, Anton, Kochkova, Anastasia, Pearton, Stephen J.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	электрические свойства газофазная эпитаксия галогениды статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997250 Перейти в каталог НБ ТГУ