Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: /

Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: /

Библиографическая информация
Главные авторы:	Стриха, В. И. Виталий Илларионович (Автор), Бузанева, Е. В. Евгения Викторовна (Автор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Радио и связь 1987
Предметы:	интегральная электроника контакты металл-полупроводник надежность физические основы
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./
по: Родерик Эмвил Х.
Публикация: (1982)

Контакты металл-полупроводник: физика и модели
по: Божков, Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs

Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n–n+-GaN Schottky contacts

Исследование высокотемпературных сплавных контактов полупроводников с металлами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Кулиш, Ушер Меерович
Публикация: (1966)

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

Способ подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики выпрямляющих контактов с арсенидом галлия N-типа покрытий никеля, иридия, иридий-никеля, иридий-золота
по: Батенков, Владислав Александрович

Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Шмаргунов, Антон Владимирович
Публикация: (2015)

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V.

Варизонные полупроводники и гетероструктуры [учебное пособие по направлению "Техническая физика"]
по: Ильин, Владимир Иванович
Публикация: (2000)

Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов
по: Фомина, Лариса Валерьевна

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2009)

Физика полупроводниковых приборов в 2 кн.
по: Зи, С. М.
Публикация: (1984)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2011)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2014)

Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Новиков, Вадим Александрович
Публикация: (2010)

Разработка ненакаливаемых катодов на основе тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл и решение на их основе некоторых задач эмиссионной электроники: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. 05.12.10/
по: Янкелевич Юзеф Бенционович
Публикация: (1978)

A planar MESFET with double be implantation for CDMA application

Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук/
по: Шандра, З. А.
Публикация: (1972)

Физические основы микроэлектроники: Учебное пособие (для автоматизированной технологии обучения)/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Исследование механизма токопереноса в системе металл - халькогенидное стекло - металл (полупроводник) диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Базаров, Владимир Дугарович
Публикация: (1967)

Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике. Свойства и применение в криоэлектронных интегральных схемах и приборах структур на основе контактов полупроводников, сверхпроводников и параэлектриков: /
по: Алфеев, В. Н. Владимир Николаевич
Публикация: (1979)

Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах учебное пособие : [для студентов по направлениям "Химия", "Химия, физика и механика материалов", "Фундаментальная и прикладная химия", аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов]
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (2015)

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник/
по: Стриха Виталий Илларионович
Публикация: (1974)

Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (1969)

Физические основы интегральной оптики: учебное пособие для вузов/
по: Панов, М. Ф. Михаил Федорович, et al.
Публикация: (2010)

Лабораторный практикум по дисциплине "Физика конденсированного состояния" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника
Публикация: (2011)

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Интегральная технология и электроника СВЧ: Сборник научных трудов/
Публикация: (1991)

Эмиссионные свойства структур металл-диэлектрик-металл на основе пленок оксинитрида кремния. Спец.01.04.04-Физич. электроника, в т. ч. квантовая: диссертация на соиск. уч. ст. канд. физ. -мат. наук. На правах рукописи/
по: Галанский Владимир Лазаревич
Публикация: (1979)