Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: учебник/

Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: учебник/

Библиографическая информация
Главный автор:	Павлов, Л. П. Лев Павлович (Автор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Высшая школа 1987
Редактирование:	2-е изд., перераб. и доп.
Предметы:	УЧЕБНИКИ УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДЫ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОТОТОК ФАРАДЕЯ ЭФФЕКТ ДИФФУЗИИ СВЕТОВЫЕ ЛУЧИ
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Методы измерения параметров полупроводниковых материалов [учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы"]
по: Павлов, Лев Павлович
Публикация: (1987)

Измерения параметров полупроводниковых материалов
по: Ковтонюк, Николай Филиппович
Публикация: (1970)

Прибор для комплексного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Коаксиальный СВЧ преобразователь для измерения электрофизических свойств полупроводниковых и диэлектрических материалов
по: Лейсле, Дарья Андреевна

О глубоком донорном центре в n-CdSnAs2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении
по: Камилов, Ибрахим Камилович 1934-

Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния

Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Повышение качества моделирования РЭА за счет использования эквивалентной схемы полупроводникового диода с неквазистатическими эффектами прямого и обратного восстановления: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 2.2.13 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
по: Шевченко, Г. М. Глеб Михайлович
Публикация: (2022)

Повышение качества моделирования РЭА за счет использования эквивалентной схемы полупроводникового диода с неквазистатическими эффектами прямого и обратного восстановления: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 2.2.13 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
по: Шевченко, Г. М. Глеб Михайлович
Публикация: (2022)

Transport of nonequilibrium charge carriers in sensors based on chromium-compensated gallium arsenide under the influence of high-intensity synchrotron radiation
по: Trofimov, M. S.

Особенности измерения удельного сопротивления поликристаллического кремния

Лабораторный практикум по дисциплине "Физика конденсированного состояния" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника
Публикация: (2011)

Практикум по физике полупроводников
по: Сироткин, Александр Александрович 1921-2003
Публикация: (1981)

Неквазистатическая модель p–n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне
по: Семенов, Эдуард Валерьевич

Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками: научное издание/
по: Басс, Ф. Г. Фридрих Гершонович, et al.
Публикация: (1989)

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине "Физика конденсированного состояния" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Горбацевич, Александр Алексеевич 1955-
Публикация: (2011)

Электрические свойства монокристаллов SnTe с избытком олова и структур SnTe – металл
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Измерение удельного электрического сопротивления металлов: Руководство к лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
по: Магазинников, А. Л. Антон Леонидович, et al.
Публикация: (2006)

Измерение удельного электрического сопротивления металлов: Руководство к лабораторной работе по дисциплине "Общая физика" для студентов всех специальностей/
по: Мухачев, В. А. Валерий Александрович
Публикация: (1987)

Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Косухин, Константин Михайлович

Ферриты и методы измерения их свойств
по: Фролов, Кирилл Олегович

Эффект Фарадея в сильных магнитных полях
по: Ли, З. Д.

Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
по: Овсюк, Виктор Николаевич
Публикация: (1984)

Практическое использование гальваномагнитных явлений в полупроводниках библиографический указатель
Публикация: (1966)

Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers

Функциональные параметры удельного сопротивления черноземов

Электросопротивление сплавов Fe-Mn в жидком состоянии
по: Чикова, Ольга Анатольевна

An angular rainbow of light from curved spacetime
по: Deriglazov, Alexei A.

Гигантская асимметрия магнитосопротивления в высокоподвижном двумерном электронном газе на цилиндрической поверхности

Исследование влияния температуры отжига GaAs:Cr на величину удельного сопротивления и характер его распределения по площади пластин
по: Уколов, Максим Дмитриевич

Результаты мониторинга методом электроразведки постоянным током в эпицентральной зоне Чуйского землетрясения (Горный Алтай)
по: Неведрова, Нина Николаевна

Влияние геолого-геофизических факторов на выбор трасс прокладки нефтегазопроводов на территории Сибири и Дальнего Востока

Physico-chemical and electrical properties of Cryosols in the Lena River Delta
по: Polyakov, Vyacheslav I.

Влияние наночастиц магнетита на диэлектрические свойства нанокомпозитов оксид металла/полимер на основе полипропилена

Свойства пленок молибдена, формируемых методом сильноточного импульсного магнетронного распыления

Измерение удельного электрического сопротивления металлов: Руководство к компьютерной лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
по: Иванова, Е. В. Елена Васильевна, et al.
Публикация: (2003)

Методы исследования материалов и структур электроники: учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", направления 210100.62 "Электроника и микроэлектроника", направления 222900.62 "Нанотехнологии и микросистемная техника", 210100.62 "Электроника и наноэлектроника", 210600.62 "Нанотехнология"/
по: Смирнов, С. В. Серафим Всеволодович, et al.
Публикация: (2012)

Влияние доменной структуры на эффект Фарадея в тербиевом феррите-гранате вблизи температуры магнитной компенсации
по: Соколов, Борис Юрьевич

Измерение удельного сопротивления высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия
по: Пономарев, Иван Викторович