Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 26-33 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133294 |