Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Показать другие варианты (1)

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Paris, 13-18 September 2015 : conference book P. 345
Другие авторы:	Novikov, Vadim A., Bezrodnyy, Dmitriy A., Voytsekhovskiy, Alexander V., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Grigoryev, Denis V.
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	English
Предметы:	тонкие пленки сканирующая зондовая микроскопия теллурид кадмия-ртути v-дефекты статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000620311 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Радиационные эффекты в HgCdTe

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Background donor concentration in HgCdTe

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
по: Новиков, Вадим Александрович

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением