Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic

Bibliographic Details
Published in:Journal of applied physics Vol. 115, № 16. P. 163501-1-163501-7
Corporate Author: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors: Dvoretsky, Sergei A., Mynbaev, Karim D., Fitsych, Olena I., Mikhailov, Nikolay N., Varavin, Vasilii S., Pociask-Bialy, Malgorzata, Voytsekhovskiy, Alexander V., Sheregii, E., Izhnin, Igor I.
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
молекулярно-лучевая эпитаксия
эпитаксиальный рост пленок
тонкие пленки
теллурид кадмия-ртути
мышьяк
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000486061
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000486061
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items